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關(guān)于金博
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產(chǎn)品中心
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碳/碳復(fù)合材料加熱器
用途與特點(diǎn)： 用于高純硅晶體生長(zhǎng)，為晶體生長(zhǎng)提供熱量，局部溫度可達(dá)2200℃以上，作為進(jìn)口石墨的替代產(chǎn)品，使用壽命長(zhǎng)，為半導(dǎo)體、光伏晶體長(zhǎng)時(shí)間生長(zhǎng)提供保障
關(guān)鍵詞:
詳細(xì)介紹
| 推薦牌號(hào) | KBC13 |
| 密度（g/cm3） | ≥1.25 |
| 彎曲強(qiáng)度（MPa） | ≥60 |
| 熱膨脹系數(shù)（10-6/℃） | <1.0 |
| 室溫導(dǎo)熱系數(shù)（W/(m• K)） | <10 |
| 室溫電阻率（μΩ•m） | 20-45 |
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相關(guān)產(chǎn)品
用途與特點(diǎn)：用于高純硅晶體生長(zhǎng)，承載硅料和石英坩堝，抗折強(qiáng)度≥120MPa，作為進(jìn)口石墨的替代產(chǎn)品，裝料量提高5倍以上，持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體生長(zhǎng)降低成本
用途與特點(diǎn)：用于高純硅晶體生長(zhǎng)，構(gòu)建晶體生長(zhǎng)的梯度溫場(chǎng)，作為進(jìn)口石墨的替代產(chǎn)品，長(zhǎng)晶速率提高2倍以上，持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體提升生長(zhǎng)效率
用途與特點(diǎn)： 用于高純硅晶體生長(zhǎng)，構(gòu)建長(zhǎng)晶空間，保障長(zhǎng)晶溫度穩(wěn)定，長(zhǎng)晶功率降低40%以上，持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體生長(zhǎng)節(jié)能降耗
用途與特點(diǎn)： 用于高純硅晶體生長(zhǎng)，構(gòu)建晶體生長(zhǎng)的梯度溫場(chǎng)，作為石墨、石英的替代產(chǎn)品，具有導(dǎo)熱低，強(qiáng)度高，熱膨脹系數(shù)低，抗沖擊性、抗熱震性優(yōu)異等特點(diǎn)，持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體節(jié)能降耗，提升效率
用途與特點(diǎn)： 用于高純硅晶體生長(zhǎng)，作為轉(zhuǎn)接部件構(gòu)建長(zhǎng)晶空間，強(qiáng)度高，導(dǎo)熱低，重量輕，熱膨脹系數(shù)低，抗熱震性能優(yōu)異，能以更薄的厚度安全承載更大的載荷，持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體生長(zhǎng)節(jié)能降耗，降低成本
用途與特點(diǎn)： 由托盤與中軸構(gòu)成，用于高純硅晶體生長(zhǎng)，位于高低溫過(guò)渡區(qū)，連接熱場(chǎng)內(nèi)外，是熱場(chǎng)承載系統(tǒng)的核心部件，具有強(qiáng)度高，導(dǎo)熱低，重量輕，熱膨脹系數(shù)低，抗沖擊性、抗熱震性優(yōu)異等特點(diǎn)，持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體生長(zhǎng)節(jié)能降耗，降低成本
免費(fèi)獲取產(chǎn)品報(bào)價(jià)
+86-0737-6202107（證券部）
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