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關(guān)于金博
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碳/碳復(fù)合材料內(nèi)導(dǎo)流筒
用途與特點(diǎn): 用于高純硅晶體生長(zhǎng),構(gòu)建晶體生長(zhǎng)的梯度溫場(chǎng),作為石墨、石英的替代產(chǎn)品,具有導(dǎo)熱低,強(qiáng)度高,熱膨脹系數(shù)低,抗沖擊性、抗熱震性優(yōu)異等特點(diǎn),持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體節(jié)能降耗,提升效率
關(guān)鍵詞:
詳細(xì)介紹
推薦牌號(hào) | KBC13 |
密度(g/cm3) | ≥1.25 |
彎曲強(qiáng)度(MPa) | ≥60 |
熱膨脹系數(shù)(10-6/℃) | <1.0 |
室溫導(dǎo)熱系數(shù)(W/(m• K)) | <10 |
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相關(guān)產(chǎn)品
用途與特點(diǎn):用于高純硅晶體生長(zhǎng),承載硅料和石英坩堝,抗折強(qiáng)度≥120MPa,作為進(jìn)口石墨的替代產(chǎn)品,裝料量提高5倍以上,持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體生長(zhǎng)降低成本
用途與特點(diǎn):用于高純硅晶體生長(zhǎng),構(gòu)建晶體生長(zhǎng)的梯度溫場(chǎng),作為進(jìn)口石墨的替代產(chǎn)品,長(zhǎng)晶速率提高2倍以上,持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體提升生長(zhǎng)效率
用途與特點(diǎn): 用于高純硅晶體生長(zhǎng),構(gòu)建長(zhǎng)晶空間,保障長(zhǎng)晶溫度穩(wěn)定,長(zhǎng)晶功率降低40%以上,持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體生長(zhǎng)節(jié)能降耗
用途與特點(diǎn): 用于高純硅晶體生長(zhǎng),為晶體生長(zhǎng)提供熱量,局部溫度可達(dá)2200℃以上,作為進(jìn)口石墨的替代產(chǎn)品,使用壽命長(zhǎng),為半導(dǎo)體、光伏晶體長(zhǎng)時(shí)間生長(zhǎng)提供保障
用途與特點(diǎn): 用于高純硅晶體生長(zhǎng),作為轉(zhuǎn)接部件構(gòu)建長(zhǎng)晶空間,強(qiáng)度高,導(dǎo)熱低,重量輕,熱膨脹系數(shù)低,抗熱震性能優(yōu)異,能以更薄的厚度安全承載更大的載荷,持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體生長(zhǎng)節(jié)能降耗,降低成本
用途與特點(diǎn): 由托盤與中軸構(gòu)成,用于高純硅晶體生長(zhǎng),位于高低溫過渡區(qū),連接熱場(chǎng)內(nèi)外,是熱場(chǎng)承載系統(tǒng)的核心部件,具有強(qiáng)度高,導(dǎo)熱低,重量輕,熱膨脹系數(shù)低,抗沖擊性、抗熱震性優(yōu)異等特點(diǎn),持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體生長(zhǎng)節(jié)能降耗,降低成本
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